[发明专利]一种选择性刻蚀方法在审
| 申请号： | 202310095894.6 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN116598198A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹晓艮;李晨;都安彦;张永奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种选择性刻蚀方法，该方法包括：提供包括利用改性剂在半导体材料层的表面的选定区域上形成一个或若干个原子层厚度的改性层；以及去除所述改性层。该方法实现了对半导体加工时的刻蚀厚度的精确控制，同时提高了刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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