[发明专利]一种半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202310714774.X | 申请日： | 2023-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN116666206A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 李逛城;郑标;朱顺;方淼焱;施露安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 贾伟;王黎延 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供包括第二区域和第三区域的衬底，在衬底上依次形成初始填充层、间隔层和覆盖层，初始填充层包括分别位于第二区域和第三区域的第二初始填充层和第三初始填充层，第二初始填充层的厚度小于第三初始填充层的厚度，覆盖层包括分别位于第二区域和第三区域的第二覆盖层和第三覆盖层，第二覆盖层的厚度大于第三覆盖层的厚度；执行至少一次刻蚀工艺至第二初始填充层形成为第二填充层，第三初始填充层形成为第三填充层，且两者的上表面齐平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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