[发明专利]III-V族化合物半导体晶圆与Si晶圆异质键合背部减薄的方法在审
| 申请号： | 202310883855.2 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936354A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体加工制造技术领域，特别涉及一种III‑V族化合物半导体晶圆与Si晶圆异质键合背部减薄的方法。上述方法主要包括提供III‑V族化合物半导体晶圆与第一Si晶圆的异质键合晶圆、第二Si晶圆与第三Si晶圆的直接键合晶圆以及石英环、将石英环放置在直接键合晶圆的表面、在石英环的表面沉积teos层、石英环与异质键合晶圆临时键合、使用grinding机台去除teos层及相同厚度的III‑V族化合物半导体晶圆、测量III‑V族化合物半导体晶圆的剩余厚度、选择其他厚度的石英环重复上述步骤、使用grinding机台再次进行减薄。上述方法能够对异质键合的晶圆进行减薄，避免损伤小尺寸第二代半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | iii 化合物 半导体 si 晶圆异质键合 背部 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310883855.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种保温复合板及其制备方法
- 下一篇：一种粮食加工用谷物除尘装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
