[发明专利]半导体晶粒的接合方法

权利要求书

1.一种半导体晶粒的接合方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一第一晶粒和一第二晶粒；

扫描该第一晶粒和该第二晶粒至少其中之一，以判断其厚度变化；

将该第一晶粒的一第一表面朝向该第二晶粒的一第二表面；

利用该厚度变化，倾斜该第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一使得该第一表面与该第二表面互相平行；以及

将该第二晶粒接合至该第一晶粒之上。

2.根据权利要求1所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其中所述的第二晶粒为一顶晶粒，该第一晶粒为一底晶粒，而倾斜该第一晶粒和该第二晶粒至少其中之一的步骤包含倾斜该顶晶粒。

3.根据权利要求1所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其中所述的第二晶粒为一顶晶粒，该第一晶粒为一底晶粒，而倾斜该第一晶粒和该第二晶粒至少其中之一的步骤包含倾斜该底晶粒。

4.根据权利要求1所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其中所述的第二晶粒为一已切割晶粒，而该第一晶粒为一未切割晶圆的一部份。

5.根据权利要求1所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其中扫描该第一晶粒和该第二晶粒至少其中之一的步骤包含：

提供一晶粒托盘，该晶粒托盘包含多个托点，每一托点均用以放置一晶粒；

将该第二晶粒放置于该晶粒托盘的该些托点其中之一；以及

扫描该第二晶粒，其中该晶粒托盘包含多个放置于其上的晶粒，扫描该第二晶粒的步骤为扫描该些晶粒的步骤的一部份。

6.一种半导体晶粒的接合方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一底晶圆，包含多个第一晶粒；

提供多个第二晶粒；

扫描该底晶圆以判断该些第一晶粒的多个第一厚度变化；

将该些第二晶粒放置于一晶粒托盘；

扫描该些第二晶粒以判断该些第二晶粒的多个第二厚度变化；

由该晶粒托盘中选择该些第二晶粒其中的一晶粒；

移动该些第二晶粒其中的该晶粒至该些第一晶粒其中的一晶粒之上；

倾斜该底晶圆和该些第二晶粒其中的该晶粒至少其中之一，使得该些第一晶粒其中的该晶粒的一第一表面平行于该些第二晶粒其中的该晶粒的一第二表面，其中该第一表面朝向该第二表面；以及

将该些第二晶粒其中的该晶粒接合至该些第一晶粒其中的该晶粒。

7.根据权利要求6所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其中扫描该底晶圆的步骤以及扫描该些第二晶粒的步骤以一扫描系统执行，该接合方法更包含将该些第一厚度变化以及该些第二厚度变化储存至一控制单元。

8.根据权利要求7所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其中倾斜该底晶圆和该些第二晶粒其中的该晶粒至少其中之一的步骤由该控制单元所控制，该控制单元利用该些第一厚度变化以及该些第二厚度变化，使得该第一表面与该第二表面互相平行。

9.根据权利要求6所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其更包含：

根据该些第一厚度变化以及该些第二厚度变化，控制该底晶圆以及该些第二晶粒的倾斜；以及

将每一该些第二晶粒接合至该些第一晶粒之上。

10.一种半导体晶粒的接合方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一第一晶粒和一第二晶粒；

将该第一晶粒置于一平台之上；

移动该第二晶粒，使其朝向该第一晶粒；

倾斜该第一晶粒和该第二晶粒至少其中之一，使得该第一晶粒的一第一表面与该第二晶粒的一第二表面互相平行；

将该第二晶粒向该第一晶粒移动，此时该第一表面与该第二表面保持平行，而在将该第二晶粒向该第一晶粒移动之前，先扫描以判断该第一晶粒和该第二晶粒至少其中之一的厚度变化；以及

将该第二晶粒接合至该第一晶粒。

11.根据权利要求10所述的半导体晶粒的接合方法，其特征在于其中所述的第一晶粒位于一晶圆，而该第二晶粒为一已切割晶粒。