[发明专利]阵列基板、其制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成附着力增强层、含铜金属层及光刻胶，通过掩膜板进行曝光显影，分别形成保留区及去除区，保留区对应图案形成区，采用一次湿法刻蚀工艺同时对去除区的附着力增强层、含铜金属层及光刻胶进行处理，在保留区形成对应于附着力增强层的附着力增强层中间层、对应于含铜金属层的含铜金属层中间层及光刻胶；

采用干法蚀刻工艺同时对所述附着力增强层中间层、含铜金属层中间层及光刻胶进行处理，之后进行光刻胶剥离，分别形成图案化的附着力增强层和图案化的含铜金属层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述图案化的含铜金属层为包括栅极的图案、和/或，为包括源漏极的图案。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述包括栅极的图案为同层形成的栅极与栅线，所述包括源漏极的图案为同层形成的源漏极与数据线。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述含铜金属层的材料为：铜或铜合金。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述附着力增强层的材料为：钨、钽、钛、钼、钼合金、钛合金等金属中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述附着力增强层的厚度为所述含铜金属层的厚度为

7.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤具体为：

(1)在基板上依次沉积第一附着力增强层和第一含铜金属层，之后涂覆光刻胶，通过掩膜板进行曝光显影，分别形成完全保留区及完全去除区，完全保留区对应图案形成区，采用一次湿法刻蚀工艺同时对完全去除区的第一附着力增强层、第一含铜金属层及光刻胶进行处理，形成对应于第一附着力增强层的第一中间层、对应于第一含铜金属层的第二中间层及光刻胶；采用干法蚀刻工艺同时对所述第一中间层、第二中间层及光刻胶进行处理，之后进行光刻胶剥离，分别形成包括第一附着力增强层的图案层和包括栅极的图案层；

(2)、在完成步骤(1)的所述基板上依次沉积栅极绝缘材料层及半导体材料层，采用构图工艺对所述半导体材料层进行处理，形成包括有源层的图案；其中，所述栅极绝缘材料层用于形成栅极绝缘层；

(3)、在完成步骤(2)的所述基板上依次沉积第二附着力增强层和第二含铜金属层，之后涂覆光刻胶，通过掩膜板进行曝光显影，分别形成保留区及去除区，保留区对应图案形成区，采用一次湿法刻蚀工艺同时对去除区的第二附着力增强层、第二含铜金属层及光刻胶进行处理，形成对应于第二附着力增强层的第三中间层、对应于第二含铜金属层的第四中间层及光刻胶；采用干法蚀刻工艺同时对所述第三中间层、第四中间层及光刻胶进行处理，之后进行光刻胶剥离，分别形成包括第二附着力增强层的图案层和包括源漏极的图案层。

8.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述含铜金属层的材料为：铜或铜合金；所述附着力增强层的材料为：钨、钽、钛、钼、钼合金、钛合金等金属中的任意一种。