[发明专利]用于沉积工艺的方法和设备有效
申请号: | 201180010262.0 | 申请日: | 2011-02-17 |
公开(公告)号: | CN102763212A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 尼欧·谬;凯文·鲍蒂斯塔;叶祉渊;舒伯特·S·楚;金以宽 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205;C23C16/458;C23C14/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中,一种设备可包括基板支撑件,所述基板支撑件包括:基座板,所述基座板具有凹穴和唇部,所述凹穴设置在基座板的上表面中,所述唇部形成在所述上表面中,且所述唇部外接所述凹穴,而所述唇部配置以将基板支撑在唇部上;以及多个通气孔,所述多个通气孔从凹穴延伸至基座板的上表面,以当基板设置在唇部上时,使在基板的背侧与凹穴之间所捕捉(trapped)的气体排出。本发明还公开了使用本发明的设备而在基板上沉积一层的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 沉积 工艺 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种基板支撑件,所述基板支撑件包括:基座板,所述基座板具有凹穴和唇部,所述凹穴设置在所述基座板的上表面中,所述唇部形成在所述上表面中,且所述唇部外接所述凹穴,所述唇部配置以将基板支撑在所述唇部上;以及多个通气孔,所述多个通气孔从所述凹穴延伸至所述基座板的所述上表面,以将所述基板设置在所述唇部上时,在所述基板的背侧与所述凹穴之间所捕捉的气体排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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