[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件(100)的方法，具有以下步骤：制备具有彼此面对的第一主表面(16A)和第二主表面(16B)的半导体衬底(16)。在第一主表面(16A)上将半导体衬底(16)固定在粘着带上(1)。将被粘着带(1)固定的半导体衬底(16)放置在容置室(31)内。从容置室(31)排气，同时将粘着带(1)的温度保持在100℃或更高。在从容置室(31)排气的步骤之后，降低半导体衬底(16)的温度。在降低半导体衬底(16)的温度的步骤之后，在半导体衬底(16)的第二主表面(16B)上形成电极(15)。结果，可以提供一种制造能够减小半导体衬底和电极之间的接触电阻的半导体器件的方法。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备具有彼此相反的第一主表面和第二主表面的半导体衬底；将所述半导体衬底固定在所述第一主表面处的粘着带上；将固定在所述粘着带上的所述半导体衬底放置在容置室内；从所述容置室排气，同时将所述粘着带的温度保持在100℃或更高；在从所述容置室排气的步骤之后，降低所述半导体衬底的温度；以及在降低所述半导体衬底的温度的步骤之后，在所述半导体衬底的所述第二主表面上形成电极。