[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种能够使半导体装置的制造容易的半导体装置及其制造方法。根据实施方式的制造方法，于在一面侧隔着粘接剂而包含多个半导体元件、且在另一面包含与半导体元件电连接的外部输入输出端子的衬底的一面上，模铸包含氧化硅的密封树脂层。在以另一面成为下侧的方式将多个被切断的衬底收纳在托盘的状态下，对衬底的密封树脂层的表面进行溅镀蚀刻。溅镀蚀刻是使氧化硅的被密封树脂层覆盖的部分的一部分露出。在将衬底收纳在托盘的状态下溅镀金属层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：于在一面侧隔着粘接剂而包含多个半导体元件、且在另一面包含与所述半导体元件电连接的外部输入输出端子的衬底的所述一面上，模铸包含氧化硅的密封树脂层，以与所述外部输入输出端子中会成为接地电位的外部输入输出端子电连接的导体从剖面露出的方式，将已模铸的所述衬底切断，在以所述另一面成为下侧的方式将多个被切断的所述衬底收纳在托盘的状态下，对所述衬底的所述密封树脂层的表面在减压环境下使用包含氩与氮的等离子体进行溅镀蚀刻，一面从所述溅镀蚀刻维持减压环境，一面在将所述衬底收纳在所述托盘的状态下在所述表面及所述切断面上以与所述导体电连接的方式溅镀金属层，所述溅镀是在将多个所述托盘载置在载体上的状态下进行，在进行所述溅镀的期间，所述托盘的所述衬底的正下方的至少一部分与所述载体的一部分接触，多个所述衬底收纳在所述托盘中由多个分隔区域分隔的区域，在第1区域与第2区域的所述托盘的高度的差较在所述第1区域与所述第2区域的所述载体的高度的差小，所述第1区域是指从上方观察较所述多个分隔区域中配置多个所述衬底的区域的最外周的分隔区域更外侧且与所述第2区域相比,所述载体的高度不同的区域，所述第2区域是指从上方观察与所述衬底重叠且所述托盘的高度较高的区域，且所述溅镀蚀刻是使所述氧化硅的被所述密封树脂层覆盖的部分的一部分露出。