[发明专利]一种异质结双极晶体管结构及制造方法

摘要

本发明公开一种异质结双极晶体管结构及制造方法，其中方法包括如下步骤：在具有发射极接触金属的半导体器件上进行蚀刻，蚀刻发射极接触位置四周的帽层；保留发射极接触位置下面和半导体器件四周的帽层；沉积第一保护层；对基极接触位置进行蚀刻，蚀刻去除基极接触位置上的第一保护层和发射极层；在基极接触位置沉积基极接触金属；沉积第二保护层；对基极台面位置进行蚀刻，蚀刻去除基极台面位置四周的第二保护层、第一保护层、发射极层、基极层和部分集电极层，保留半导体器件四周的结构。本方案可以避免箭影的产生，提高产品良率，降低了寄生电容，从而减少了射频损耗。

主权项

1.一种异质结双极晶体管结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在具有发射极接触金属的半导体器件上进行蚀刻，蚀刻发射极接触位置四周的帽层；保留发射极接触位置下面和半导体器件四周的帽层；沉积第一保护层；对基极接触位置进行蚀刻，蚀刻去除基极接触位置上的第一保护层和发射极层；在基极接触位置沉积基极接触金属；沉积第二保护层；对基极台面位置进行蚀刻，蚀刻去除基极台面位置四周的第二保护层、第一保护层、发射极层、基极层和部分集电极层，保留半导体器件四周的结构；对半导体器件周围进行离子植入，形成绝缘区；对集电极接触位置进行蚀刻，蚀刻去除集电极接触位置上的剩下的集电极层和蚀刻停止层；在集电极接触位置沉积集电极接触金属；沉积第三保护层；在发射极接触金属、基极接触金属、集电极接触金属的上方进行开口；在开口处沉积第一层连线金属。涂布光阻，在第一层连线金属处进行开口并沉积第二层连线金属。