[发明专利]烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法在审
| 申请号： | 201910446594.1 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110937891A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 秀岛正章;角田浩二 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/01;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可为适当的机械强度，且有效地降低体电阻、可抑制异常放电的发生的烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法。本发明的烧结体是含有In、Ga及Zn的氧化物的烧结体，其满足0.317<In/(In+Ga+Zn)≤0.350、0.317<Ga/(In+Ga+Zn)≤0.350、及0.317<Zn/(In+Ga+Zn)≤0.350的关系，体电阻值为15mΩcm以上且25mΩcm以下，抗弯强度为40MPa以上且小于50MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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