[发明专利]提供掺杂硅的方法在审
| 申请号： | 202080036231.1 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113841224A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 普鲁肖塔姆·库马尔;江庚伟;巴特·J·范施拉芬迪克;缪腾飞;约瑟夫·R·阿贝尔;阿德里安·拉瓦伊 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/04;H01L21/02;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种将衬底掺杂的方法。在该衬底的表面形成氧化硅扩散阻挡层。至少一掺杂剂层被沉积在氧化硅扩散阻挡层上。在至少一层的掺杂剂层上沉积帽盖层以形成衬底、氧化硅扩散阻挡层、至少一层掺杂剂层和帽盖层的堆叠件。退火该堆叠件。移除帽盖层、至少一层掺杂剂层以及氧化硅扩散阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080036231.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：视频编解码中的自适应分辨率改变
- 下一篇：基于视频的点云压缩中的单遍边界检测
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
