[发明专利]垂直半导体装置

说明书

公开了一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括其中绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上的导电图案结构。导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分。导电图案中的每个导电图案包括与边缘部分中的阶梯的上表面对应的垫区域。垫导电图案被设置为接触垫区域的上表面的一部分。掩模图案设置在垫导电图案的上表面上。接触塞穿透掩模图案以接触垫导电图案。

本申请要求于2018年5月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0058097号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及垂直半导体装置，更具体地，涉及具有结构稳定性的垂直半导体装置。

背景技术

已经开发了在基底上垂直堆叠存储器单元的垂直半导体装置。垂直半导体装置可以包括分别电连接到存储器单元的接触塞。

发明内容

根据示例实施例，公开涉及一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括：基底；导电图案结构，在导电图案结构中，绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上，其中，导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分，导电图案中的每个导电图案包括具有与边缘部分中的阶梯的上表面对应的上表面的垫区域；垫导电图案，接触垫区域的上表面的一部分；掩模图案，位于垫导电图案的上表面上；以及接触塞，穿透掩模图案以接触垫导电图案。

根据示例实施例，公开涉及一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括：基底；导电图案结构，在导电图案结构中，绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上，其中，导电图案在与基底的上表面平行的第一方向上延伸，导电图案的边缘部分在第一方向上并且在与第一方向垂直且与基底的上表面平行的第二方向上具有阶梯形状，导电图案分别包括与阶梯的上表面对应的垫区域；垫导电图案，分别位于导电图案的垫区域上；掩模图案，分别位于垫导电图案上；以及接触塞，分别接触垫导电图案，并分别电连接到导电图案。

根据示例实施例，公开涉及一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括：基底；导电图案结构，在导电图案结构中，绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上，其中，导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分，导电图案中的每个导电图案包括与边缘部分中的阶梯的上表面对应的垫区域；间隔件，位于阶梯的壁上；垫导电图案，位于垫区域上并且远离间隔件；掩模图案，位于垫导电图案的上表面上；以及接触塞，穿透掩模图案以接触垫导电图案。

附图说明

图1是示出根据示例实施例的垂直半导体装置的剖视图。

图2A、图2B和图2C是示出根据示例实施例的垂直半导体装置的一部分的剖视图。

图3和图4是示出根据示例实施例的垂直半导体装置的平面图和透视图。

图5至图18是示出根据示例实施例的制造垂直半导体装置的方法的剖视图、平面图和透视图。

图19至图21是示出根据示例实施例的制造垂直半导体装置的方法的剖视图。

图22是示出根据示例实施例的垂直半导体装置的剖视图。

图23至图25是示出根据示例实施例的制造垂直半导体装置的方法的剖视图。

图26是示出根据示例实施例的垂直半导体装置的剖视图。

图27是示出根据示例实施例的垂直半导体装置的剖视图。

具体实施方式

现在将参照示出一些示例实施例的附图来更充分地描述各种示例实施例。然而，发明构思可以以许多可选择的形式来实施，而不应被解释为仅限于在这里阐述的示例实施例。