[发明专利]使用自组装单层形成ALD抑制层的方法在审
| 申请号： | 201610919979.1 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106611702A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | L·莱克蒂尔 | 申请（专利权）人： | 超科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了使用自组装单层形成ALD抑制层的方法。具体地，使用SAM分子层形成ALD抑制层的方法包括提供具有金属M和该金属M的氧化物层的金属化衬底。使用包括金属Q的还原气体来还原该金属M的氧化物层，在该金属M的顶部留下呈M+MQyOx形式的层。以蒸气形式提供该SAM分子并在该M+MQyOx层上形成ALD抑制的SAM层。还公开了使用该ALD抑制的SAM层进行S‑ALD的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 组装 单层 形成 ald 抑制 方法 | ||
【主权项】：
一种在覆盖有金属M的氧化物层(“金属氧化物层”)的金属M上形成ALD抑制层的方法，包含：a)通过将该金属氧化物层暴露于包括金属Q的还原气体来还原该金属氧化物层，以在该金属M上形成M+MQxOy层；和b)将该M+MQxOy层暴露至呈蒸气相的自组装单层(“SAM”)分子，其中该SAM分子在该M+MQxOy层上形成SAM层，该SAM层为ALD抑制的。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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